收藏本站
NP110N04PDG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
SYMBOL
I DSS
I GSS
TEST CONDITIONS
V DS = 40 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
MIN.
TYP.
MAX.
1
± 100
UNIT
μ A
nA
Gate to Source Threshold Voltage
Note
Forward Transfer Admittance
Note
V GS(th)
| y fs |
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V DS = 10 V, I D = 55 A
1.5
45
2.0
89
2.5
V
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
V GS = 10 V, I D = 55 A
V GS = 4.5 V, I D = 55 A
1.4
2.1
1.8
3.2
m Ω
m Ω
Input Capacitance
C iss
V DS = 25 V
14500 25700
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q G
Q GS
Q GD
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = 20 V, I D = 55 A
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
V DD = 32 V
V GS = 10 V
I D = 110 A
1360
810
46
124
122
19
230
42
75
2130
1610
120
350
260
60
390
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 110 A, V GS = 0 V
I F = 110 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
0.9
55
72
1.5
V
ns
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
D.U.T.
R G = 25 Ω
50 Ω
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V GS = 20 → 0 V
V DS
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 Ω
V DD
Data Sheet D17561EJ2V0DS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NP110N04PUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
NP110N04PUJ-E1B-AY MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
NP110N055PUG-E2-AY MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
NP110N055PUJ-E2B-AY MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
NP15P06SLG-E1-AY MOSFET P-CH -60V MP-3ZK/TO-252
NP160N04TUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
NP161N04TUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
NP180N04TUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
相关代理商/技术参数
NP110N04PDG-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,40V/110A,Tch175
NP110N04PUG(1)-E1-AY/K 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP110N04PUG-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP110N04PUG-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,40V/110A,Tch175
NP110N04PUJ 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP110N04PUJ-E1B-AY 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP110N04PUJ-E2B-AY 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP110N04PUK 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR